1976-жылы Зумстег жана башкалар. рубидий титанилфосфат (RbTiOPO) өстүрүү үчүн гидротермикалык ыкманы колдонгон4, RTP) кристалл деп аталат. RTP кристалл орторомбдук система болуп саналат, мм2 упай тобу, Pна21 мейкиндик тобу, чоң электро-оптикалык коэффициенттин ар тараптуу артыкчылыктарына ээ, жарыктын жогорку бузулуу босогосу, төмөн өткөрүмдүүлүк, кең өткөрүү диапазону, делиquescent эмес, аз киргизүү жоготуу, жана жогорку кайталануучу жыштык иштери үчүн колдонулушу мүмкүн (100гө чейин) кГц), жана башкалар. Жана күчтүү лазердик нурлануунун астында эч кандай боз тактар болбойт. Акыркы жылдары, ал электро-оптикалык Q-которгучтарды даярдоо үчүн популярдуу материал болуп калды, өзгөчө кайталануу ылдамдыгы лазер системалары үчүн ылайыктуу.
RTP чийки заты эригенде чирип кетет жана кадимки эритинди тартуу ыкмалары менен өстүрүүгө болбойт. Адатта, флюстер эрүү температурасын төмөндөтүү үчүн колдонулат. сырьёго коп сандагы флюстун кошулушуна байланыштуу ал’чоң өлчөмдөгү жана жогорку сапаттагы RTP өстүрүү абдан кыйын. 1990-жылы Wang Jiyang жана башкалар 15 түссүз, толук жана бирдиктүү RTP монокристалын алуу үчүн өзүн-өзү тейлөө агымынын ыкмасын колдонушкан. мм×44 мм×34 мм, жана анын аткарылышы боюнча системалуу изилдөө жүргүзгөн. 1992-жылы Oseledchikжана башкалар. 30 өлчөмүндөгү RTP кристаллдарын өстүрүү үчүн окшош өзүн-өзү тейлөө флюс ыкмасын колдонду мм×40 мм×60 мм жана жогорку лазер зыян чеги. 2002-жылы Каннан жана башкалар. аз өлчөмдө MoO колдонулган3 (0.002 мол%) 20га жакын өлчөмү менен жогорку сапаттагы RTP кристаллдарын өстүрүү үчүн жогорку үрөн ыкмасы агымы катары мм. 2010-жылы Рот жана Цейтлин [100] жана [010] багыт үрөндөрүн жогорку үрөн ыкмасын колдонуу менен чоң өлчөмдөгү RTP өстүрүү үчүн колдонушкан.
Даярдоо ыкмалары жана электр-оптикалык касиеттери окшош болгон KTP кристаллдарына салыштырмалуу RTP кристаллдарынын каршылыгы 2-3 баллга жогору (108 Ω·см), ошондуктан RTP кристаллдары электролиттик зыян көйгөйлөрү жок EO Q-которуштуруу колдонмолору катары колдонулушу мүмкүн. 2008-жылы Шалдинжана башкалар. бир домендик RTP кристаллынын каршылыгы 0,5 жакын өстүрүү үчүн эң жогорку үрөн ыкмасын колдонду.×1012 Ω·см, бул чоңураак ачык диафрагмасы бар EO Q-которгучтары үчүн абдан пайдалуу. 2015-жылы Чжоу Хайтаожана башкалар. а-окунун узундугу 20дан ашкан RTP кристаллдары деп билдирди мм гидротермикалык ыкма менен өстүрүлгөн, каршылыгы 10 болгон11~1012 Ω·см. RTP кристалл эки остук кристалл болгондуктан, ал EO Q- которуусу катары колдонулганда LN кристаллынан жана DKDP кристаллынан айырмаланат. Жуптагы бир RTP 90 айлануусу керек°жарык багытында табигый эки сынуучулуктун ордун толтуруу үчүн. Бул дизайн кристаллдын өзүнүн жогорку оптикалык бирдейлигин гана талап кылбастан, Q-которгучтун жогорку өчүп кетүү катышына ээ болуу үчүн эки кристаллдын узундугу мүмкүн болушунча жакын болушун талап кылат.
Мыкты катары EO Q-которууing менен материал жогорку кайталануучу жыштык, RTP кристаллs өлчөмүн чектөөгө ылайык бул чоң үчүн мүмкүн эмес ачык диафрагма (коммерциялык буюмдардын максималдуу диафрагмасы 6 мм гана). Ошондуктан, RTP кристаллдарын даярдоо менен чоң өлчөмү жана жогорку сапаты ошондой эле дал келүү техника нын RTP жуптары дагы эле керек чоң сумма изилдөө иши.
Посттун убактысы: 21-окт.2021