Калий дидейтерий фосфаты (DKDP) 1940-жылдары иштелип чыккан мыкты электро-оптикалык касиеттери бар сызыктуу эмес оптикалык кристаллдын бир түрү. Оптикалык параметрдик термелүүдө, электр-оптикалык Qда кеңири колдонулат-которуу, электр-оптикалык модуляция жана башкалар. DKDP кристалл барэки этап: моноклиникалык фаза жана тетрагоналдык фаза. The пайдалуу DKDP кристалл D таандык болгон тетрагоналдык фаза болуп саналат_2d-42m пункттук топ жана ID¹²_2d -42d космостук топ. DKDP изоморфтук болуп саналаттүзүлүш калий дигидроген фосфатынын (КДП). Дейтерий суутек термелүүсүнөн пайда болгон инфракызыл сиңирүүнүн таасирин жок кылуу үчүн KDP кристаллындагы суутекти алмаштырат.менен DKDP кристалл жогорку дейтерация келемишio бар жакшы электро-оптикалык касиеттери жана жакшыраак сызыктуу эмес касиеттери.

1970-жылдардан баштап лазердин өнүгүшү Iнервдик Cайыптоо Fusion (ICF) технологиясы фотоэлектрдик кристаллдардын, өзгөчө KDP жана DKDP серияларынын өнүгүшүнө чоң өбөлгө түздү. As а электро-оптикалык жана сызыктуу эмес оптикалык материал ичинде колдонулат ICF, кристалл болуп саналат жогорку өткөрүмдүүлүккө ээ болушу керек толкун тилкелеринде тартып жакын ультрафиолеттен жакын инфракызылга, чоң электр-оптикалык коэффициент жана сызыктуу эмес коэффициент, жогорку зыян чеги жана болуу болууга жөндөмдүү даярдооd in чоң диафрагма жана менен жогорку оптикалык сапаты. Азырынча бир гана KDP жана DKDP кристаллдары менен таанышуусе талаптар.

ICF DKDP өлчөмүн талап кылат компоненти 400 ~ 600 мм чейин. Адатта өсүү үчүн 1-2 жыл талап кылынатменен DKDP кристалл ушундай чоң өлчөмү салттуу ыкма менен нын суулуу эритмени муздатуу, ошондуктан көптөгөн изилдөө иштери жүргүзүлдү алуу DKDP кристаллдарынын тез өсүшү. 1982-жылы Беспалов жана башкалар. 40 мм кесилиштүү DKDP кристаллынын тез өсүү технологиясын изилдеген×40 мм, ал эми өсүү темпи 0,5-1,0 мм/саатка жетти, бул салттуу ыкмага караганда бир топ жогору болгон. 1987-жылы Беспалов жана башкалар. менен жогорку сапаттагы DKDP кристаллдарын ийгиликтүү өстүрдү өлчөмү 150 мм×150 мм×80 мм тарабынан окшош тез өсүү ыкмасын колдонуу. 1990-жылы Чернов жана башкалар. чекиттин жардамы менен массасы 800 г болгон DKDP кристаллдарын алган-үрөн ыкмасы. жылы DKDP кристаллдарынын өсүү темпи Z-багытка жететd 40-50 мм/д, жана ошол X- жана Ы-багыттары жететd 20-25 мм/к. Лоуренс Ливермор Улуттук Лаборатория (LLNL) ири өлчөмдөгү KDP кристаллдарын жана DKDP кристаллдарын N.улуттук От алдыруучу жай (NIF) АКШнын. 2012-жылы,Кытай окумуштуулары иштеп чыгышкан 510 мм өлчөмүндөгү DKDP кристалл×390 мм×520 мм андан типтеги чийки DKDP компоненти II жыштыгын эки эсеге көбөйтүү өлчөмү 430 мм болгон жасалган.

Электро-оптикалык Q-которуштуруу колдонмолору жогорку дейтерий мазмуну бар DKDP кристаллдарын талап кылат. 1995-жылы Зайцева жана башкалар. жогорку дейтерий жана 10-40 мм/д өсүү темпи менен DKDP кристаллдарын өстүрдү. 1998-жылы Зайцева жана башкалар. үзгүлтүксүз чыпкалоо ыкмасын колдонуу менен жакшы оптикалык сапаты, төмөн дислокация тыгыздыгы, жогорку оптикалык бирдейлиги жана жогорку зыян чеги менен DKDP кристаллдары алынган. 2006-жылы жогорку дейтерий DKDP кристалын өстүрүү үчүн фотованна ыкмасы патенттелген. 2015-жылы DKDP кристаллдары менен дейтерация келемишio 98% жана өлчөмү 100 мм×105 мм×96 мм ийгиликтүү пункт менен өстүрүлдү-үрөн Шандун университетинде метод Кытайдын. Thболуп саналат кристалл эч кандай көзгө көрүнгөн макро кемчилиги жок, жана анын сынуу көрсөткүчүнүн асимметриясы 0,441ден аз промилле. 2015-жылы тез өсүү технологиясыDKDP кристаллынын дейтерация келемиш мененio 90% даярдоо үчүн Кытайда биринчи жолу колдонулган Q-которууматериал, тез өсүү технологиясы 430 мм диаметри DKDP электро-оптикалык Q-которгуч даярдоо үчүн колдонулушу мүмкүн экенин далилдегенing компоненти ICF тарабынан талап кылынат.

WISOPTIC тарабынан иштелип чыккан DKDP кристалл (Дейтерация > 99%)

DKDP кристаллдары узак убакыт бою атмосферага дуушар болот бар беттик делирий жана тумандууоптикалык сапаттын олуттуу төмөндөшүнө алып келет жана конверсиянын натыйжалуулугун жоготуу. Ошондуктан, электро-оптикалык Q-которуштурууну даярдоодо кристаллды жабуу зарыл. Жарыктын чагылышын азайтуу үчүнкүйүк жабуу терезеs Q-которгучтун жана үстүндө кристаллдын бир нече бетине, сынуу көрсөткүчүнө дал келген суюктук көбүнчө сайылат космоско кристалл менен терезенин ортосундаs. Ал тургай вжок каршы-чагылдыруучу каптоо, тал өткөргүч болушу мүмкүн 92%тен 96%-97%ке (толкун узундугу 1064 нм) көбөйдү. колдонуу сынуу көрсөткүчүнө дал келген чечим. Мындан тышкары, коргоочу пленка да ным-далил чара катары колдонулат. Xionget ал. даярдалган SiO₂ коллоиддик пленка менен функциялары нымдан корголбогон жана анти-рефлексиякүйүк. Өткөрүү 99,7% га жетти (толкун узундугу 794 нм) жана лазердин зыян чеги 16,9 Дж/см ге жеткен.² (толкун узундугу 1053 нм, импульстун туурасы 1 нс). Wang Xiaodong et al. даярдалган а коргоочу пленка тарабынан полисилоксан айнек чайырын колдонуу. Лазердик зыяндын чеги 28 Дж/см ге жетти² (толкун узундугу 1064 нм, импульстун туурасы 3 нс) жана оптикалык касиеттери салыштырмалуу нымдуулугу 90% дан жогору болгон чөйрөдө 3 ай бою бир кыйла туруктуу бойдон калган.

LN кристаллынан айырмаланып, табигый кош сынуу таасирин жеңүү үчүн, DKDP кристалл негизинен узунунан модуляцияны кабыл алат. шакекче электрод колдонулганда, кристаллдын узундугунур багыты кристаллдан көбүрөөк болушу керек’s бир тектүү электр талаасын алуу үчүн диаметри ошондуктан көбөйтөт жарык жутуу кристаллда жана термикалык эффект деполяризацияга алып келет at жогорку орточо кубаттуулук.

ICF талабы боюнча, DKDP кристаллынын даярдоо, иштетүү жана колдонуу технологиясы тездик менен иштелип чыккан, бул DKDP электро-оптикалык Q-которгучтарын лазердик терапияда, лазердик эстетикада, лазердик гравюрада, лазердик белгилөөдө, илимий изилдөөдө кеңири колдонулат. жана лазердик колдонуунун башка тармактары. Бирок, деликесенция, жогорку киргизүү жоготуу жана төмөнкү температурада иштөөгө жөндөмсүздүк дагы эле DKDP кристаллдарынын кеңири колдонулушун чектеген тоскоолдуктар болуп саналат.

WISOPTIC тарабынан жасалган DKDP Pockels клеткасы